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本发明涉及利用磁性纳米片制作压力应力传感器技术领域，具体公开了一种兼具仿生结构、高弹性、高灵敏度、快速响应回复的压力应力传感器的制备方法，包括如下工艺：首先将水溶性的Co通过溶液反应制备出氢氧化钴，然后将得到的产物在还原剂水合肼的作用下得到...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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