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本发明公开了一种基于三耦合波导的横磁模截止横电模均分的光功分器，由下至上依次为硅基衬底、掩埋氧化层、功分部件和上包层，其中掩埋氧化层生长于硅基衬底的上表面，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，光功分部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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