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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及位于所述衬底上的分立的鳍部，所述鳍部的材料为SiGe、Ge或III‑V族半导体材料；形成横跨所述鳍部的栅极层，所述栅极层覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；在所述栅极层两侧的鳍部...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。