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本发明提供了一种SOI的制造方法，包括：氧化第一硅片的第一表面，以在第一硅片上形成第一氧化层；将第二硅片与第一氧化层相贴合，并键合第一硅片和第二硅片，以得到键合片；将键合片退火，退火温度为第一温度，退火时长为第一时长；氧化键合片，以在第一氧...
该专利属于沈阳硅基科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳硅基科技有限公司授权不得商用。

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