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本申请涉及半导体生产的光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法及装置。本申请提供一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法，包括：确定光源的极化类型；基于所述极化类型，建立进入光瞳的入射光线场强的传输矩阵，所述传输矩阵...
该专利属于墨研计算科学(南京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过墨研计算科学(南京)有限公司授权不得商用。

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