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本发明适用于半导体晶体管制备技术领域，提供了一种柔性晶体管的制备方法，包括：将获取的六方氮化硼h‑BN薄膜转移至预设衬底表面；在所述h‑BN薄膜上制作导电沟道、源漏电极、栅介质层以及栅电极，获得晶体管样品；在所述晶体管样品上旋涂柔性衬底溶液...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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