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一种提高磁控溅射靶材利用率的装置及方法制造方法及图纸
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文档序号:23017368
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发明提供一种提高磁控溅射靶材利用率的装置及方法。所述提高磁控溅射靶材利用率的装置,包括磁轭以及磁体组;所述磁体组设置于所述磁轭上部,并且磁体组包括直道区磁体和环形区磁体,所述直道区磁体包含一组中心磁体和二组外侧磁体,并且所述直道区磁体呈水平...
该专利属于谢斌所有,仅供学习研究参考,未经过谢斌授权不得商用。
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