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本发明属于半导体及其制造的技术领域，提供一种基于大面积衬底剥离的深紫外LED及其制备方法。深紫外LED为其为采用激光切割衬底，使得电化学腐蚀液腐蚀牺牲层，实现大面积衬底剥离制得，所述电化学腐蚀液包括草酸溶液，所述牺牲层包括重掺杂的n‑GaN...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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