温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开利用多离子注入的氮化镓基板的制造方法。本发明实施例的利用多离子注入的氮化镓基板的制造方法的特征在于，包括：在第一氮化镓形成键合氧化膜的步骤；向形成有上述键合氧化膜的第一氮化镓的表面至少注入一次第一离子来形成损伤层的使第一氮化镓的弯...
该专利属于汉阳大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过汉阳大学校产学协力团授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。