温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种直拉硅单晶的引晶方法，以引晶速度偏差调控引晶温度，引晶速度偏差为引晶调温周期内的平均引晶速度与设定引晶速度的差值。若引晶速度偏差为正，引晶温度正向微调；若引晶速度偏差为负，引晶温度负向微调。根据缩径过程差异，引晶温度调控方式包...
该专利属于隆基绿能科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过隆基绿能科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。