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本发明公开了一种具有高稳定性电流阻挡层的LED芯片，包括DBR反射层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层和P型电极，所述P型半导体层设置在发光层上方，且所述P型半导体层设置有第一环形凹槽。本发明的有益效果是：本发明是在生长二氧化...
该专利属于安徽芯瑞达科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽芯瑞达科技股份有限公司授权不得商用。

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