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本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，其中绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括以下步骤：从绝缘栅双极型晶体管的衬底的背面向衬底内注入氢离子，或铝离子，或镓离子，以形成反向导通二极管的n型重掺杂层，反向导通二极管为绝缘栅双极型晶体管内...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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