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化合物半导体场效应晶体管栅极长度缩减制造技术
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文档序号:22570279
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一种化合物半导体晶体管可包括沟道层。该化合物半导体晶体管还可以包括位于沟道层上的介电层。化合物半导体晶体管还可以包括栅极。栅极可包括穿过介电层且与沟道层电接触的垂直基部。栅极还可以包位于介电层上且电耦合至栅极的垂直基部的头部。...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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