温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种由从SiC晶锭切割的较厚的基底SiC晶片出产较薄产品晶片的方法，该方法包括：利用支撑衬底来支撑基底SiC晶片；以及在由支撑衬底支撑基底SiC晶片时，作为电线放电加工（WEDM）过程的部分，使用引线在与基底SiC晶片的第一主表面平行的方向...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。