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本发明公开了一种超结器件，包括：在半导体衬底上形成有多个沟槽；N型柱通过形成于沟槽的侧面的第一外延层和沟槽之间的半导体衬底横向叠加而成且N型柱的掺杂通过第一外延层的N型杂质扩散而成，P型柱由填充沟槽中的第二外延层组成。超结结构底部的半导体衬...
该专利属于深圳尚阳通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳尚阳通科技有限公司授权不得商用。

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