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本申请公开了一种肖特基场效应管及其制造方法，属于半导体技术领域。所述肖特基场效应管包括：衬底，衬底的第一端部为台阶形凹槽；设置于衬底第二端部上的漏极结构以及设置于第一端部上的源极结构，源极结构包括金属硅化物；设置于衬底上方，源极结构和漏极结...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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