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本发明公开了一种NOR闪存器件及其制备方法，其中，NOR闪存器件，包括依次层叠的衬底、隧穿氧化层、浮栅层、介电层和控制栅层；至少一个贯穿控制栅层和介电层的浮栅过孔，浮栅过孔位于有源区，用于暴露出浮栅层，以引出浮栅电极；至少一个有源区阻挡结构...该专利属于上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司授权不得商用。