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本公开的实施例描述了一种制造利用基于掺杂剂的自旋量子比特的自旋量子比特设备组件的方法，基于掺杂剂的自旋量子比特即为通过将施主或受主掺杂剂原子包括在半导体基质层中进行操作的自旋量子比特设备。该方法包括：首先在半导体基质层上面提供一对栅电极；以...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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