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提供了制造三维半导体存储器件的方法。一种方法可以包括：在衬底上形成模结构，该膜结构包括沟道区域和在沟道区域之间的非沟道区域；以及在模结构上形成多层掩模层，该多层掩模层包括顺序地堆叠的第一掩模层、蚀刻停止层和第二掩模层。该多层掩模层可以包括暴...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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