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本发明公开了一种MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法，所述方法通过直接氢氟酸刻蚀或者原位生成氢氟酸的方法刻蚀MAX相，随后进行剥离处理得到单片层且低缺陷的MXene分散液，然后利用多巴胺对MXene进行改性，采用简单的一步法制备出聚乙烯醇...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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