温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种雪崩光电二极管，应用于光电探测器技术领域，在衬底上依次外延生长包括缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层、帽层和电极接触层，电极接触层的材料为InGaAsP，且电极接触层为外延生长的本征的渐变组分材料，通过锌扩散等P型掺杂剂扩散掺杂工艺可以实现...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。