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公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上堆叠蚀刻目标层、第一掩模层、下层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射，以形成光致抗蚀剂图案；以及在使用第一掩模层作为蚀刻停止层的同时，对光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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