温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及二维石墨烯新材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域，具体为一种快速制备高质量均匀层数石墨烯薄膜的方法，适于制备大面积的高质量均匀层数石墨烯薄膜。采用上层铜箔/底层过渡族金属箔片构成的双金属叠片作为生长基体，在低于铜熔点的温度下通过...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。