温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于阻变存储器件领域，涉及一种利用界面工程普适制备双模阻变存储器件及其制备方法。该存储器件包括表面具有纳米结构的下电极、表面存在纳米孔洞的中间功能层以及上电极。具体采用表面纳米褶皱的导电还原氧化石墨烯(rGO)作为下电极；所述的中间功...
该专利属于南京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京工业大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。