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一种制造高压晶体管器件的方法。该方法包括：在半导体衬底(1)中形成隔离区(9)以限制带状区域；形成第一类型电传导率的漏极区(6)和源极区以及与所述第一类型电传导率相反的第二类型电传导率的体区(3)；在所述体区上方形成栅电极(10)；在所述带...
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