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本发明提供了一种制备磁性随机存储器阵列单元的方法，通过在磁性隧道结电介质中间穿插一层位线通孔刻蚀阻挡层，使之能够阻挡在后续的位线通孔刻蚀工艺中的主刻蚀，并且提供主刻蚀终点光学发射谱判断信号；然后选用刻蚀速率更低、选择比更高的过刻蚀工艺对剩余...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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