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本发明属于半导体芯片技术领域，提供的屏蔽栅功率器件及制造方法中，通过自下而上的工艺流程，采用四层光刻膜即可生产小线距的屏蔽栅功率器件，通过优化制造工艺流程及版图设计较少光刻的次数，降低了屏蔽栅功率器件的制造周期、难度以及成本。...
该专利属于深圳尚阳通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳尚阳通科技有限公司授权不得商用。

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