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半导体装置具备：作为漂移层(12)的半导体基板(11)；基极层(13)；多个沟槽(14)；发射极区域(15)；发射极电极(20)；集电极层(30)；集电极电极(31)；产生反转层的主栅极电极(18a)及不使所述反转层产生的伪栅极电极(18b...
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