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提供晶片的加工方法，能够防止在晶片的内部发生了反射、散射的激光束对器件造成破坏。该晶片的加工方法包含如下的步骤：改质层形成步骤，在晶片的内部形成沿着分割预定线的改质层；以及分割步骤，对晶片赋予力而以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割，...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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