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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供一介质层，所述介质层中具有沿垂直于所述介质层的方向贯穿所述介质层的通孔；活化所述通孔的侧壁表面，形成活性键合面；形成至少覆...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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