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本发明公开了一种自对准双重图形化半导体结构的制作方法，包括：提供依次形成有待刻蚀薄膜、核心图形薄膜和图案化的第一光刻胶层的半导体衬底，以第一光刻胶层为掩膜对核心图形薄膜进行刻蚀，形成第一尺寸核心图形层和第二尺寸核心图形层，分别在第一尺寸和第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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