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一种刻蚀溶液和刻蚀方法,所述刻蚀溶液包括:刻蚀剂;添加剂,所述添加剂包括阻挡颗粒。通过在所述刻蚀溶液中添加包含有阻挡颗粒的添加剂,在所述待刻蚀层侧壁露出后,使所述阻挡颗粒进入所述待刻蚀层的侧壁位置处,并填充于所述待刻蚀层的侧壁上,以实现抑制...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。