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一种PIN二极管器件结构及其制备方法技术
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文档序号:21226964
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本发明为一种PIN二极管器件结构及其制备方法。该二极管器件结构包括以下两种:第一种,二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括:P‑型欧姆电极、P‑型重掺杂半导体传输层、N‑型插入层、N‑型本征层、N‑型重掺杂半导体传输层和N‑型欧姆电极;或者...
该专利属于河北工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过河北工业大学授权不得商用。
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