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提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；第一层间绝缘膜，设置在所述衬底上并且包括第一区域以及在所述第一区域上方的第二区域；蚀刻停止膜，位于所述第一层间绝缘膜上；第二层间绝缘膜，位于所述蚀刻停止膜上；第一上布线，位于所述第二...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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