温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明所提出的集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法，可以将增强型和耗尽型晶体管集成在一起，有利于增加氮化镓HEMT器件的用途，提高电路的特性，并且为实现单片集成高速数字/模拟混合信号射频电路奠定了基础。同时，利用缓冲层的再生长以及掺杂需...
该专利属于苏州汉骅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州汉骅半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。