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本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，LED外延结构包括：第一子外延结构，位于一衬底上；第二子外延结构，位于所述第一子外延结构上；阻挡层，位于所述第一子外延结构和第二子外延结构之间，所述阻挡层包括N个周期性交叠的SiN层和...
该专利属于映瑞光电科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过映瑞光电科技（上海）有限公司授权不得商用。

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