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本实用新型属于半导体光电技术领域，尤其涉及一种多量子阱结构及其发光二极管，该多量子阱结构由复数个发光基本单元交替层叠而成，其特征在于：每一个发光基本单元从下至上依次包括第一势阱层、第一势垒层、第二势阱层和第二势垒层，所述第一势垒层的厚度大于...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。

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