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一种空间GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池外延片的制造方法技术
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下载一种空间GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池外延片的制造方法的技术资料
文档序号:20872296
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本发明公开了一种空间GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池外延片的制造方法,其包括双面抛光的n型GaAs衬底,在所述的GaAs衬底上表面沉积有GaAs欧姆接触层、GaInP子电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、GaAs子电池、G...
该专利属于南昌凯迅光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南昌凯迅光电有限公司授权不得商用。
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