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本申请公开了一种碳化硅晶片的清洗方法，属于半导体材料制备领域。该碳化硅晶片的清洗方法包括等离子清洗和湿法清洗步骤。该碳化硅晶片的清洗方法使得碳化硅晶片表面的杂质清除的更干净；可以降低湿法清洗步骤中杂质对清洗槽的污染程度，减少清洗液的更换频率...
该专利属于山东天岳先进材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进材料科技有限公司授权不得商用。

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