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本发明提供一种半导体器件，在存储器件所在的半导体衬底中，半导体衬底可以经过减薄，这样，可以通过蚀刻与填充等工艺制作贯通衬底的绝缘环，将其中的衬底和周围的衬底隔离开，而绝缘环中的衬底中形成有扩散层，从而，在绝缘环中形成了由扩散层调节阻值的电阻...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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