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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种TMBS器件的制备方法，包括：步骤S1，提供具有有源区和围绕有源区的终端保护区的一衬底；步骤S2，采用一溅射淀积工艺以及一热退火工艺于有源区内衬底暴露的上表面形成一金属硅化物层；步骤S3，采用一湿法腐蚀...
该专利属于上海芯导电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯导电子科技有限公司授权不得商用。

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