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绝缘栅极功率半导体器件(1)在发射极侧(22)和集电极侧(27)之间具有(n‑)掺杂漂移层(5)。p掺杂保护枕(8)覆盖沟槽栅极电极(7、7')的沟槽底部(76)。在增强层深度(97)中具有最大增强层掺杂浓度的n掺杂增强层(95)将基极层(...
该专利属于ABB瑞士股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ABB瑞士股份有限公司授权不得商用。

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