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本实用新型公开了一种稳压LED外延结构，包括衬底，设于衬底上的U型GaN层，设于U型GaN层上的N型GaN层，设于N型GaN层上的第一P型GaN层，设于第一P型GaN层上的有源层，设于有源层上的第二P型GaN层。本实用新型在N型GaN层和有...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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