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本发明公开了一种双负极光电二极管芯片及其制作方法，光电二极管芯片包括：芯片衬底；设置在芯片衬底一侧表面的外延功能层；外延功能层具有位于芯片衬底表面的负极凸台以及位于负极凸台背离芯片衬底一侧表面的正极凸台；负极凸台背离芯片衬底一侧的表面具有第...
该专利属于深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司授权不得商用。

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