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一种晶体管以及制作方法技术
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文档序号:19937057
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本发明涉及一种晶体管及其制作方法,所述晶体管包括第一导电类型的衬底;第二导电类型的外延层,生长在所述衬底的第一表面;形成于所述外延层内的第二导电类型发射区,所述发射区包括在所述衬底的第一表面向上依次形成的第一隔离层,发射极层以及第二隔离层;...
该专利属于深圳市诚朗科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市诚朗科技有限公司授权不得商用。
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