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本发明公开了一种晶圆的加工方法，属于半导体技术领域。所述加工方法包括：确定待加工晶圆的目标厚度值并上传至运算系统；将待加工晶圆粘结到基板上，采用测量系统测量待加工晶圆的粘片后厚度值并上传至运算系统；确定待加工晶圆的减薄目标厚度值、研磨目标厚...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

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