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功率器件及其制造方法技术
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文档序号:19782030
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本发明提供一种功率器件包括衬底、形成在衬底上的外延层、形成在所述外延层的第一掺杂区及与第一掺杂区相连的第二掺杂区、形成在所述第二掺杂区的终端结构,所述终端结构包括形成在第二掺杂区的多个间隔设置的第一注入区、形成在所述第二掺杂区的多个与第一注...
该专利属于王永贵;阳林涛;邱一平所有,仅供学习研究参考,未经过王永贵;阳林涛;邱一平授权不得商用。
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