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一种具有高稳定性和低静态功耗的SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明提出了一种10T结构的SRAM存储单元电路，结合基于该电路的读写方式，能够使得本发明具有高的读噪声容限和写裕度；由于本发明中只有一条位线，且本发明的结构中第一N...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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