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本申请涉及热优化相变存储器单元及其制造方法。一种热优化相变存储器单元包含安置于第一电极与第二电极之间的相变材料元件。所述第二电极包含所述第一电极上方的具有第一热阻率的热绝缘区域及内插于所述相变材料元件与所述热绝缘区域之间的金属接触区域，其中...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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