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本发明涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法，包括以下步骤：S1、在半导体基板上涂布第一光阻层，并形成第一下层根部腔体；S2、进行烘烤热变形，形成具有圆弧边角的第一下层根部腔体；S3、对第一下层根部腔体表面进...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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